Польша и Франция объединяют усилия в разработке полупроводников

499

Государства Евросоюза предпринимают практические шаги, чтобы если не совсем избавиться (это уже невозможно), то хотя бы снизить зависимость от азиатских компаний, прежде всего китайских, в части разработки и производства высокотехнологичной микроэлектроники. Одним из таких решений стала кооперация Центра передовых материалов и технологий Варшавского технологического университета (CEZAMAT) с одним из ключевых научно-исследовательских институтов электроники и информационных технологий Франции CEA-Leti.

О подробностях недавно заключенного соглашения в области исследований и разработки полупроводниковых технологий в интервью польскому онлайн-изданию военной тематики Defence24 рассказал заместитель директора CEZAMAT профессор Ромуальд Бек.

Французская Лаборатория электроники и информационных технологий (Laboratoire d'Électronique et de Technologies de l'Information) — это одна из крупнейших в мире организаций, занимающихся прикладными исследованиями в области микроэлектроники и нанотехнологий. Исторически она была связана с программой ядерной энергетики во Франции, но со временем ее деятельность также расширилась до альтернативных технологий и передовой электроники.

В последние годы Европа запустила крупную программу поддержки полупроводниковых технологий в соответствии с Законом о европейских чипах. Одним из его компонентов является строительство нескольких пилотных линий для разработки новых поколений полупроводниковых технологий. Из пяти таких инициатив три координируются крупнейшими европейскими исследовательскими институтами: бельгийским IMEC, французским CEA-Leti и немецким Fraunhofer. Каждая из этих организаций ведет разработку полупроводниковых технологий по несколько иной модели и с разными приоритетами, но все они имеют общую цель – восстановление европейских компетенций в области микроэлектроники.

Варшавский технологический университет будет участвовать в одном из проектов пилотной линии, который называется FAMES. Его целью является развитие передовых полупроводниковых технологий в Европе. В рамках соглашения будет вестись разработка перспективных интегральных схем по новейшей технологии.

Заместитель директора CEZAMAT:

Одной из уникальных особенностей этой технологии является возможность проектирования радиационно-стойких интегральных схем. Это имеет решающее значение в нескольких областях: в космических системах, ядерной энергетике, критически важных инфраструктурных системах и в военных системах.

Соглашение о сотрудничестве CEZAMAT и CEA-Leti имеет очень практическое измерение, подчеркнул профессор Бек. Во-первых, оно предполагает совместные исследования по разработке технологии FD-SOI. Во-вторых, ожидается, что французские эксперты окажут поддержку при внедрении этой технологии в Польше. У специалистов CEA-Leti большой опыт внедрения этой технологии в отрасли, в частности, в такие компании, как Samsung и GlobalFoundries.

Профессор Бек рассказал, что еще в 2018 году группа экспертов, назначенная правительством, указала, что именно технология FD-SOI в варианте около 130 нанометров была бы оптимальным выбором для создания технологической линии производства полупроводников в Польше. Это дает очень большую универсальность приложений — от промышленной электроники до космических систем, систем критической инфраструктуры и оборонных решений, подчеркнул замдиректора CEZAMAT.
Профессор Бек отметил, что в договоре сознательно не прописаны финансовые параметры. В рамках соглашения будет реализовано постепенное наращивание технологических компетенций в Польше на основе поддержки специалистов мирового класса. Такая модель сотрудничества позволяет постоянно совершенствовать и развивать технологии, адаптированные к специфике возникающих потребностей рынка.

Мы сознательно не выбрали простую модель покупки технологической лицензии. Для полупроводников это очень сложно и часто означает необходимость точного копирования всей производственной линии, что не всегда рационально.

Справка. FD-SOI (Fully Depleted Silicon on Insulator) — технология, при которой канал транзистора формируется из сверхтонкой пленки кремния на изоляторе. Это планарная технология, которая позволяет создавать полупроводниковые устройства с низким энергопотреблением и высокой производительностью. В частности, технология FD-SOI с ePCM позволяет увеличить объем памяти и улучшить интеграцию аналоговой и цифровой периферии.